具有 100VDC（标称 75VDC）最高输入电压和 10Arms 相电流的受保护的全桥功率级 使用 SM72295 100V 全桥栅极驱动器且该驱动器配有用于实现高侧双极相电流感应的集成放大器，最高支持 256 微步进，减少了 BOM。 在 16 kHz PWM 时效率达 95%，标称负载的开关损耗极低，也支持更高的 PWM 频率。由于采用 TI NexFET 功率 MOSFET，在 25C 环境温度和标称负载下不需要散热器。 由于 NexFET 打开和关闭的开关时间短（25ns，对开关节点电压没有过冲），全桥得到优化，可实现低 EMI。 硬件在相位与相位之间及相位与 GND 之间具有过热保护、过流保护和短路保护，并具有 UVLO。阈值可以在硬件中进行定制配置。 主机处理器接口为 3.3V，使像 C2000 这样的 MCU 能够实现定制的步进电机控制。通过补充的 PWM 输入和双极高侧电流感应缓冲 0-3.3V 模拟输出，可以精确控制相电流。通过相位与 GND 之间的电压反馈信号，可以进行反电动势感应和失速检测。使能信号使 MCU 能够打开和关闭功率级。