适用于高速驱动应用的 48V/10A 高频 PWM 三相 GaN 逆变器参考设计
低电压高速驱动器和/或低电感无刷电机需要 40kHz 到 100kHz 范围内的更高逆变器开关频率，从而最大限度减少电机中的损失和扭矩波动。TIDA-00909 参考设计通过使用具有三个 80V/10A 半桥 GaN 电源模块 LMG5200 的三相逆变器来实现这一点，并使用基于分流器的相电流感应。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅 FET 快得多，而将 GaN FET 和驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感并优化开关性能，由此可降低损耗，进而可缩小甚至消除散热器。TIDA-00909 提供 TI BoosterPack 兼容型接口来连接到 C2000 MCU LaunchPad™ 开发套件，从而便于评估性能。
详情介绍
三相 GaN 逆变器具有 12V 到 60V 的宽输入电压范围以及 7Arms/10Apeak 输出电流，通过高达 100kHz PWM 的测试。 GaN 功率级极大降低了开关损耗，因此接受高 PWM 开关频率，在 100kHz PWM 下，峰值效率高达 98.5% LMG5200 GaN 半桥功率级可简化 PCB 布局，并减少寄生电感，从而优化开关性能，上升/下降时间不到 2ns。 具有极低 12.5ns 死区的极低开关节点过冲和下冲可最大限度减小相电压振铃，并减少相电压失真和 EMI。 基于分流器的精密相电流感应具有高精度 (0.1%)。 TI BoosterPack 兼容型接口具有 3.3V I/O，从而便于使用 C2000 MCU LaunchPad™ 开发套件进行性能评估。
