应用与设计

利用MAX5060设计带无损电流检测的大电流电源


概述

目前,大多数数据处理单元需要从电源消耗更大的电流,以满足更高的处理速度。这些应用中,无损电流检测以及地电位偏差对于精确控制输出电压、输出电流非常关键。

MAX5060 PWM降压电源控制器利用平均电流模式控制技术跟踪负载电流,器件采用差分检测技术精确控制输出电压。本参考设计中利用电感的等效串联电阻(DCR)检测电流,省去了检流电阻的功耗。

本参考设计提供了一个大电流(30A)电源设计方案,具有较高的系统效率和良好的负载调节,以下给出了完整的电路原理图、材料清单(BOM)、效率测量及测试结果。

规格与设计步骤

  • 参考设计能够达到以下技术指标。
  • 输入电压:12V ±10%
  • 输出电压:1.5V
  • 输出电流:30A
  • 输出纹波:±15mV
  • 输入纹波:±250mV
  • 效率:> 88%,负载为满负荷的一半(15A)
  • 开关频率:275kHz
  • 电路板外形尺寸:5cm × 3.3cm

参考设计原理图如图1所示,元件清单如表1所示,设计中MAX5060采用降压配置。


详细图片
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图1. MAX5060降压转换器原理图(FSW = 275kHz)

详情介绍

概述

目前,大多数数据处理单元需要从电源消耗更大的电流,以满足更高的处理速度。这些应用中,无损电流检测以及地电位偏差对于精确控制输出电压、输出电流非常关键。

MAX5060 PWM降压电源控制器利用平均电流模式控制技术跟踪负载电流,器件采用差分检测技术精确控制输出电压。本参考设计中利用电感的等效串联电阻(DCR)检测电流,省去了检流电阻的功耗。

本参考设计提供了一个大电流(30A)电源设计方案,具有较高的系统效率和良好的负载调节,以下给出了完整的电路原理图、材料清单(BOM)、效率测量及测试结果。

规格与设计步骤

  • 参考设计能够达到以下技术指标。
  • 输入电压:12V ±10%
  • 输出电压:1.5V
  • 输出电流:30A
  • 输出纹波:±15mV
  • 输入纹波:±250mV
  • 效率:> 88%,负载为满负荷的一半(15A)
  • 开关频率:275kHz
  • 电路板外形尺寸:5cm × 3.3cm

参考设计原理图如图1所示,元件清单如表1所示,设计中MAX5060采用降压配置。


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图1. MAX5060降压转换器原理图(FSW = 275kHz)

表1. 元件清单

Designator Description Comment Footprint Manufacturer Quantity Value
C1, C20 Capacitor GRM1555C1H101JZ01D 402 Murata 2 100pF
C2 Capacitor GRM155R71E223KA61D 402 Murata 1 22nF
C3 Capacitor GRM155R71H682KA88D 402 Murata 1 6.8nF
C4 Capacitor GRM1555C1H470JZ01D 402 Murata 1 47pF
C5 Capacitor GRM155R61A224KE19D 402 Murata 1 0.22µF
C6, C12 Capacitor GRM155R61A474KE15D 402 Murata 2 0.47µF
C7, C8, C9, C18 Capacitor GRM188R71A105KA61D 402 Murata 4 1µF
C10, C11 Capacitor GRM32ER71C226KE18L 1210 Murata 2 22µF/16V
C13, C14 Capacitor GRM32ER60J107ME20L 1210 Murata 1 100µF/6.3V
C15 Capacitor GRM31CR60J476KE19L 1206 Murata 1 47µF
C16 Capacitor GRM155R71H103KA88D 402 Murata 1 10nF
C17 SP Capacitor EEFSX0D471E4 7.3mm x 4.3mm SP CAP Panasonic 1 470µF/2V
C19 Capacitor GRM155R71H102KA01D 402 Murata 1 1nF
D1 Schottky Diode CMHSH5-2L SOD-123 Central Semiconductor 1 20V, 500mA Schottky
D2 Schottky Diode UPS835LE3 POWERMITE3 Microsemi 1 35V, 8A Schottky Rectifier
L Inductor T5060 (0.6µH) T5060_Falco_Inductor Falco 1 0.6µH
Q1 N-Channel MOSFET Si7136DP PowerPAK SO8 Vishay 1 20V, 30A nMOSFET
Q2, Q3 N-Channel MOSFET Si7866DP PowerPAK SO8 Vishay 2 20V, 40A nMOSFET
Q4 NPN Transistor CMUT2222A SOT-523 Central Semiconductor 1 75V, 600mA NPN
R1 Resistor Res1 402 Multisource 1 1.7kΩ
R3, R16 Resistor Res1 402 Multisource 2 12.7kΩ
R4, R21 Resistor Res1 402 Multisource 2 4.99kΩ
R5, R20 Resistor Res1 402 Multisource 2 100kΩ
R6 Resistor Res1 402 Multisource 1 226kΩ
R7 Resistor Res1 402 Multisource 1 Open
R8, R19 Resistor Res1 402 Multisource 2 10kΩ
R9 Resistor Res1 402 Multisource 1 0
R10 Resistor Res1 402 Multisource 1 5.6kΩ
R11 Resistor Res1 402 Multisource 1
R12 Resistor Res1 402 Multisource 1 2.2Ω
R13, R22 Resistor Res1 402 Multisource 2 715Ω
R14 Resistor Res1 402 Multisource 1 1.82Ω
R15, R18 Resistor Res1 402 Multisource 2 22Ω
R17 Resistor Res1 402 Multisource 1 8.45kΩ
U1 PWM Controller MAX5060 28-TQFN-EP Maxim 1

 

效率曲线

图2给出了参考设计的效率与负载电流的关系曲线,图3给出了负载调节参数曲线。


图2. 负载电流与转换器效率的关系曲线,VIN = 12V。


图3. 负载电流与转换器输出电压的关系曲线,VIN = 12V。

实验结果

图4图7给出了不同输入条件下,转换器输出电压与负载电流的对应关系曲线。


图4. 转换器波形,VIN = 12V、IOUT = 30A。
VIN = 12V、IOUT = 2 × 15A
Ch1:输出电流(2倍)
Ch2:输出电压
Ch3:输入电压
Ch4:高边MOSFET栅极驱动


图5. 输入和输出纹波,VIN = 12V、IOUT = 30A。
VIN = 12V、IOUT = 2 × 15A
Ch2:输出电压纹波
Ch3:输入电压纹波

图6. 电源瞬态响应
图6. 电源瞬态响应
VIN = 0至12V,IOUT = 2 × 15A
Ch2:输出电压
Ch3:输入电压

图7. 负载瞬态响应
图7. 负载瞬态响应
VIN = 12V、IOUT = 1A至7A
Ch1:输出电流瞬变(1A至7A)
Ch2:输出电压纹波

针对该应用开发的电路板如图8所示。


详细图片
(PDF, 16kB)
图8. MAX5060降压参考电路板,四层板。