对于移动设备中的RF主要路径应用，设计人员深知良好的接收效果至关重要。但是，接收和发射过程中存在的问题会使情况变得复杂。首先，发射端电路需要能够处理高功率，并且接收端器件必须非常耐用。更重要的是，电池寿命极大地依赖于用于发射信号的元器件。另外，现在消费者要求电池电量能够持续一天时间。

凭借英飞凌丰富的高品质半导体产品系列（包括LNA、LMM和开关），我们可以克服常见的RF路径应用挑战。我们的元器件针对低损耗设计以节省电池电量，并且质量非常可靠，可以使您的设计更稳健并且在市场上更加成功。我们优化了LNA和开关以实现优良的系统性能，并且为您提供了一流的硅锗(SiGE) LNA RF性能。选择英飞凌的RF主要路径解决方案，您可以受益于高集成度、成熟的可靠性以及理想的性价比。