GTVA104001FA-V1-R0 规格参数
| 开发套件: | LTN/GTVA104001FA-V1 |
| 子类别: | Transistors |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 3 V |
| 晶体管类型: | HEMT |
| Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
| 封装 / 箱体: | H-37265J-2 |
| 产品种类: | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 输出功率: | 400 W |
| 安装风格: | Flange Mount |
| 最大漏极/栅极电压: | - |
| 工作频率: | 960 MHz to 1.215 GHz |
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