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SI7540DP-T1-E3

双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 11.8 A, 0.017 ohm, SOIC, 表面安装

中间价(CNY):7.7372

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SI7540DP-T1-E3 规格参数

产品范围	-
汽车质量标准	-
晶体管安装	表面安装
Continuous Drain Current Id	11.8
漏源电压, Vds	12
Drain Source Voltage Vds	12
Operating Temperature Max	150
Transistor Mounting	Surface Mount
No. of Pins	8
阈值电压 Vgs	1.5
功耗 Pd	3.5
晶体管极性	互补N与P沟道
针脚数	8
On Resistance Rds(on)	0.017
电压 @ Rds测量	4.5
Rds(on) Test Voltage Vgs	4.5
Transistor Case Style	SOIC
MSL	MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity	Complementary N and P Channel
电流, Id 连续	11.8
Power Dissipation Pd	3.5
Product Range	-
工作温度最高值	150
晶体管封装类型	SOIC
SVHC	No SVHC (15-Jun-2015)
SVHC(高度关注物质)	No SVHC (15-Jun-2015)
Threshold Voltage Vgs	1.5
在电阻RDS（上）	0.017
Automotive Qualification Standard	-

数据手册