SI4946BEY-T1-GE3

Vishay

SI4946BEY-T1-GE3

Vishay MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=60 V, 6.5 A, 8引脚 SOIC封装

中间价(CNY):4.57

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SI4946BEY-T1-GE3 规格参数

安装类型	表面贴装
宽度	4mm
晶体管材料	Si
通道类型	N
最大栅源电压	-20 V、+20 V
晶体管配置	隔离式
引脚数目	8
最大漏源电阻值	52 mΩ
最小栅阈值电压	1V
通道模式	增强
典型栅极电荷@Vgs	17 nC @ 10 V
最大连续漏极电流	6.5 A
最大功率耗散	3.7 W
长度	5mm
封装类型	SOIC
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	2
最大漏源电压	60 V
高度	1.55mm

数据手册

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