SI2365EDS-T1-GE3

Vishay

SI2365EDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

中间价(CNY):1.0326

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SI2365EDS-T1-GE3 规格参数

安装类型	表面贴装
宽度	1.4mm
晶体管材料	Si
通道类型	P
最大栅源电压	-8 V、+8 V
晶体管配置	单
引脚数目	3
最大漏源电阻值	67.5 mΩ
最小栅阈值电压	0.4V
通道模式	增强
典型栅极电荷@Vgs	23.8 nC @ 8 V
最大连续漏极电流	4.7 A
最大功率耗散	1.7 W
长度	3.04mm
封装类型	SOT-23 (TO-236)
最低工作温度	-50 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	20 V
高度	1.02mm

数据手册

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