SIRA99DP-T1-GE3 规格参数
| Rds On-漏源导通电阻: | 1.7 mOhms |
| 子类别: | MOSFETs |
| 封装 / 箱体: | PowerPAK-SO-8 |
| 产品种类: | MOSFET |
| 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 工厂包装数量: | 3000 |
| 典型接通延迟时间: | 69 ns |
| 技术: | Si |
| 商标: | Vishay / Siliconix |
| 制造商: | Vishay |
数据手册
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