| 原厂标准交货期 | 14 周 |
| 制造商零件编号 | SI4946BEY-T1-GE3 |
| 产品相片 | 8-SOIC
|
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | SI4946BEY-T1-GE3TR-ND |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.5A |
| 功率 - 最大值 | 3.7W |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| Related Product | LTM4644IY#PBF-ND - DC DC CONVERTER 4X0.6-5.5V
|
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 840pF @ 30V |
| PCN 组件/产地 | Bondwire 06/Jun/2019
|
| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 查看货期 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 2-N-通道（双）-Mosfet-阵列-60V-6.5A-3.7W-表面贴装型-8-SO |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 41 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 数据列表 | SI4946BEY;
|
| 系列 | TrenchFET® |
| 标准包装 | 2,500 |
| 其它名称 | SI4946BEY-T1-GE3TR
SI4946BEYT1GE3
|
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V |
