SI4884BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-GE3

MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9.0mohm @ 10V

中间价(CNY):6.7189

推荐供应商

SI4884BDY-T1-GE3 规格参数

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	9 毫欧 @ 10A，10V
安装类型	表面贴装
技术	MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
包装	带卷（TR）
FET 类型	N 沟道
Vgs（最大值）	±20V
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET®
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	35nC @ 10V
供应商器件封装	8-SO
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	16.5A（Tc）
FET 功能	-
制造商	Vishay Siliconix
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），4.45W（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1525pF @ 15V
零件状态	停產
类别	分立半导体产品

数据手册