IRFI540GPBF

Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

中间价(CNY):10.3657

推荐供应商

IRFI540GPBF 规格参数

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	77 毫欧 @ 10A，10V
安装类型	通孔
技术	MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
包装	管件
FET 类型	N 沟道
Vgs（最大值）	±20V
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	72nC @ 10V
供应商器件封装	TO-220-3
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	17A（Tc）
FET 功能	-
制造商	Vishay Siliconix
功率耗散（最大值）	48W（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1700pF @ 25V
零件状态	在售
类别	分立半导体产品

数据手册