| 原厂标准交货期 | 8 周 |
| 制造商零件编号 | IRF540STRRPBF |
| 产品相片 | TO-263AB
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRF540STRRPBFTR-ND |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 28A（Tc） |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1700pF @ 25V |
| PCN 组件/产地 | Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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| 零件状态 | 在售 |
| 现有数量 | 查看货期 |
| 包装 | 标准卷带 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 详细描述 | 表面贴装-N-沟道-100V-28A（Tc）-3.7W（Ta）-150W（Tc）-D²PAK（TO-263） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 77 毫欧 @ 17A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 视频文件 | MOSFET Technologies for Power Conversion
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| 数据列表 | IRF540S;
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| 系列 | - |
| 标准包装 | 800 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），150W（Tc） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 72nC @ 10V |
