| 制造商零件编号 | 2N6660JTVP02 |
| 产品相片 | TO-39
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | 2N6660JTVP02-ND |
| 供应商器件封装 | TO-205AD（TO-39） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 990mA（Tc） |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 50pF @ 25V |
| 零件状态 | 停產 |
| 现有数量 | 0
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| 包装 | 管件 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 详细描述 | 通孔-N-通道-60V-990mA（Tc）-725mW（Ta）-6.25W（Tc）-TO-205AD（TO-39） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 1A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 视频文件 | MOSFET Technologies for Power Conversion
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| 数据列表 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V);
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| 系列 | - |
| 标准包装 | 20 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 725mW（Ta），6.25W（Tc） |
