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SISS23DN-T1-GE3
Vishay Dale

SISS23DN-T1-GE3

新产品Vishay TrenchFET 系列 Si P沟道 MOSFET SISS23DN-T1-GE3, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
中间价(CNY):3.2248
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SISS23DN-T1-GE3 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)8840@15V
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Typical Turn-Off Delay Time (ns)150|140
PCB changed8
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)5|50
Maximum Power Dissipation (mW)4800
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)45|15
数据手册
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