SI4925DDY-T1-GE3 规格参数
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1350@15V |
| 产品类别 | Power MOSFET |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Width (mm) | 4(Max) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Package | SOIC N |
| 印刷电路板已变更 | 8 |
| Technology | TrenchFET |
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