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SI4925BDY-T1-E3
Vishay Dale

SI4925BDY-T1-E3

VISHAY  SI4925BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 0.01Ω, -5.3A, SOIC-8, 整卷
中间价(CNY):7.6317
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SI4925BDY-T1-E3 规格参数
ConfigurationDual Dual Drain
Typical Turn-Off Delay Time (ns)60
PCB changed8
Number of Elements per Chip2
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)12
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Operating Temperature (°C)150
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