首页/SI4888DY-T1-E3搜索结果/SI4888DY-T1-E3规格参数/
SI4888DY-T1-E3
Vishay Dale

SI4888DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
中间价(CNY):-
推荐供应商
SI4888DY-T1-E3 规格参数
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Typical Turn-Off Delay Time (ns)44
PCB changed8
HTS8542.39.00.01
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)10
Maximum Power Dissipation (mW)3500
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
Minimum Operating Temperature (°C)-55
数据手册
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的数据手册,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!