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SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Dale

SI4884BDY-T1-GE3

单 N 沟道 30 V 0.009 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - SOIC-8
中间价(CNY):-
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SI4884BDY-T1-GE3 规格参数
Operating Temperature-55 to 150 °C
CategoryMOSFET
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time18|22 ns
Typical Fall Time8 ns
Channel ModeEnhancement
MountingSurface Mount
Typical Turn-On Delay Time18|8 ns
Typical Rise Time160|11 ns
ManufacturerVishay / Siliconix
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