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SI4882DY-T1-E3
Vishay Dale

SI4882DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
中间价(CNY):-
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SI4882DY-T1-E3 规格参数
产品类别Power MOSFET
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)10.5@10V
Number of Elements per Chip1
Package Width (mm)4(Max)
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Channel ModeEnhancement
Standard Package NameSOP
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Pin Count8
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