SI4882DY-T1-E3 规格参数
| 产品类别 | Power MOSFET |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 10.5@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Width (mm) | 4(Max) |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Standard Package Name | SOP |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Pin Count | 8 |
数据手册
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