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SI4286DY-T1-GE3
Vishay Dale

SI4286DY-T1-GE3

Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4286DY-T1-GE3, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
中间价(CNY):4.6052
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SI4286DY-T1-GE3 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)375@20V
ConfigurationDual Dual Drain
Typical Turn-Off Delay Time (ns)17
PCB changed8
Number of Elements per Chip2
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)60
Maximum Power Dissipation (mW)1900
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)33
Minimum Operating Temperature (°C)-55
数据手册
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