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SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Dale

SI2365EDS-T1-GE3

MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
中间价(CNY):0.7692
推荐供应商
SI2365EDS-T1-GE3 规格参数
ConfigurationSingle
Typical Turn-Off Delay Time (ns)62|65
PCB changed3
HTS8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)10000
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)6|21
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)22|9
数据手册
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