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SI2323DS-T1-E3
Vishay Dale

SI2323DS-T1-E3

VISHAY  SI2323DS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V
中间价(CNY):2.1385
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SI2323DS-T1-E3 规格参数
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1020@10V
ConfigurationSingle
Typical Turn-Off Delay Time (ns)71
PCB changed3
HTS8541.29.00.95
Number of Elements per Chip1
ECCN (US)EAR99
Typical Rise Time (ns)43
Maximum Power Dissipation (mW)1250
Channel ModeEnhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)25
数据手册
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