BPW17N 规格参数
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Fabrication Technology | NPN Transistor |
| PCB changed | 2 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Supplier Package | T-3/4 |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Package Height | 2.9 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
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