880330 规格参数
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 上升时间 | 22 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 通道模式 | Enhancement |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| RoHS | 是 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 封装 | Tube |
数据手册
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| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 上升时间 | 22 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 通道模式 | Enhancement |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| RoHS | 是 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 封装 | Tube |