首页/2N7002E-T1-GE3搜索结果/2N7002E-T1-GE3规格参数/
2N7002E-T1-GE3
Vishay Dale

2N7002E-T1-GE3

N沟道 增强模式MOSFET
中间价(CNY):0.7221
推荐供应商
2N7002E-T1-GE3 规格参数
Part # Aliases2N7002E-GE3
ConfigurationSingle
Id - Continuous Drain Current240 mA
Channel ModeEnhancement
RoHS Y
Qg - Gate Charge0.4 nC
Transistor Type1 N-Channel
Package / CaseSOT-23-3
Number of Channels1 Channel
Typical Turn-On Delay Time13 ns
ManufacturerVishay
数据手册
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的数据手册,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!