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RN73C2A56K2BTD
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TE Connectivity

RN73C2A56K2BTD

56.2 kOhms ±0.1% 0.1W，1/10W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 薄膜
中间价(CNY):-
推荐供应商
RN73C2A56K2BTD 规格参数
特性-
高度 - 安装（最大值）0.026"（0.65mm）
包装带卷（TR）
封装/外壳0805（2012 公制）
工作温度-55°C ~ 155°C
系列RN73，Holsworthy
大小/尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
温度系数±10ppm/°C
供应商器件封装805
端子数2
功率（W）0.1W，1/10W
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