首页/2N2905AJANTXV搜索结果/2N2905AJANTXV规格参数/
2N2905AJANTXV
Semicoa

2N2905AJANTXV

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
中间价(CNY):-
推荐供应商
2N2905AJANTXV 规格参数
ConfigurationSingle
PCB changed3
HTS8541.29.00.95
Number of Elements per Chip1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
ECCN (US)EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)800
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)2.6@50mA@500mA|1.3@15mA@150mA
AutomotiveNo
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Operating Temperature (°C)200
数据手册
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的数据手册,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!