| 原厂标准交货期 | 12 周 | 
| 制造商零件编号 | STB16NF06LT4 | 
| 产品培训模块 | STMicroelectronics ST MOSFETs | 
| 产品相片 | D²PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V | 
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK | 
| FET 类型 | N 沟道 | 
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 | 
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 
| 得捷电子 零件编号 | 497-4322-2-ND | 
| 供应商器件封装 | D2PAK | 
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 16A(Tc) | 
| 制造商 | STMicroelectronics | 
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA(最小) | 
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 345pF @ 25V | 
| 零件状态 | 在售 | 
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 4,000
可立即发货 | 
| 包装 | 标准卷带 | 
| 类别 | 分立半导体产品 | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 详细描述 | 表面贴装-N-沟道-60V-16A(Tc)-45W(Tc)-D2PAK | 
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | 
| 产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 
| 其它有关文件 | STB16NF06L View All Specifications | 
| HTML 规格书 | STB16NF06L | 
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 90 毫欧 @ 8A,10V | 
| Vgs(最大值) | ±16V | 
| 数据列表 | STB16NF06L; | 
| 系列 | STripFET™ | 
| 标准包装 | 1,000 | 
| FET 功能 | - | 
| 功率耗散(最大值) | 45W(Tc) | 
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 4.5V | 
| 仿真模型 | STB16NF06L Spice Model |