| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 制造商零件编号 | DTA115EUAT106 |
| 电阻器 - 基底（R1） | 100 kOhms |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 82 @ 5mA，5V |
| 产品相片 | UMT3
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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| RoHS指令信息 | DTA115EUA ESD Data
Transistor Whisker Info
Transistor, MOSFET Level 1 MSL
UMT3 Constitution Material List
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| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 20mA |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 产品目录绘图 | SOT-323 Package Top
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| 得捷电子 零件编号 | DTA115EUAT106DKR-ND |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 2,719
可立即发货
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| 包装 | Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | Pre-Biased-Bipolar-Transistor-BJT-PNP-预偏压-50V-20mA-250MHz-200mW-表面贴装型-UMT3 |
| 电阻器 - 发射极基底（R2） | 100 kOhms |
| 产品族 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 |
| 其它有关文件 | Transistor, MOSFET Flammability
UMT3 DTR Reliability Test
UMT3 Inner Structure
UMT3 Part Marking
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| 数据列表 | DTA115E Series;
UMT3 T106 Taping Spec;
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| 系列 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 仿真模型 | DTA115EUA Spice Model
DTA115EUA Thermal Model
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