| 制造商零件编号 | HYB25D128800CE-6 |
| 产品相片 | 66-TSSOP
|
| 存储器格式 | DRAM |
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 存储容量 | 128Mb （16M x 8） |
| 描述 | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
| 封装/外壳 | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 得捷电子 零件编号 | 675-1005-1-ND |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP II |
| 制造商 | Qimonda |
| 存储器接口 | 并联 |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 |
| 现有数量 | 0
|
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 类别 | 集成电路（IC） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 详细描述 | SDRAM-DDR-存储器-IC-128Mb-（16M-x-8）-并联-166MHz-66-TSOP-II |
| 技术 | SDRAM - DDR |
| 产品族 | 存储器 |
| 时钟频率 | 166MHz |
| 电压 - 电源 | 2.3V ~ 2.7V |
| 数据列表 | HYB25D128(40/80/16)0C(C/E/F/T);
|
| 系列 | - |
| 对无铅要求的达标情况 | 无铅 |
| 标准包装 | 1 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
