Qimonda

HYB18T1G800BF-3S

IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA

中间价(CNY):282.569

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HYB18T1G800BF-3S 规格参数

制造商零件编号	HYB18T1G800BF-3S
产品相片	HYB18T1G800BF-3S
存储器格式	DRAM
湿气敏感性等级（MSL）	3（168 小时）
存储容量	1Gb（128M x 8）
描述	IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA
封装/外壳	68-TFBGA
工作温度	0°C ~ 95°C（TC）
得捷电子零件编号	675-1017-1-ND
供应商器件封装	68-TFBGA（17x10）
制造商	Qimonda
存储器接口	并联
零件状态	Digi-Key 停产
现有数量	得捷电子库存现货: 87 可立即发货
包装	剪切带（CT）
类别	集成电路（IC）
安装类型	表面贴装
详细描述	SDRAM-DDR2-存储器-IC-1Gb（128M-x-8）-并联-333MHz-68-TFBGA（17x10）
技术	SDRAM - DDR2
产品族	存储器
时钟频率	333MHz
电压 - 电源	1.7V ~ 1.9V
数据列表	HY(B/I)18T1G(40/80/16)0B(C/F)(L/V);
系列	-
对无铅要求的达标情况	无铅
标准包装	1
存储器类型	易失
写周期时间 - 字，页	-

数据手册