| 原厂标准交货期 | 18 周 |
| 制造商零件编号 | NVTFS5116PLTAG |
| 产品相片 | 8-WDFN
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| RoHS指令信息 | Material Declaration NVTFS5116PLTAG
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| 描述 | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN |
| FET 类型 | P 通道 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | NVTFS5116PLTAGOSTR-ND |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6A（Ta） |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1258pF @ 25V |
| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 12,000
可立即发货
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| 包装 | 标准卷带 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 表面贴装型-P-通道-60V-6A（Ta）-3.2W（Ta）-21W（Tc）-8-WDFN（3.3x3.3） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 52 毫欧 @ 7A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | NVTFS5116PL;
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| 系列 | - |
| 标准包装 | 1,500 |
| 其它名称 | NVTFS5116PLTAG-ND
NVTFS5116PLTAGOSTR
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| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），21W（Tc） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V |
