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MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1G

Dual Dig. Transistor NPN 4.7k 47k SOT363
中间价(CNY):0.3925
推荐供应商
MUN5235DW1T1G 规格参数
原厂标准交货期8 周
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
制造商零件编号MUN5235DW1T1G
电阻器 - 基底(R1)2.2 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
产品相片SC-88
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
RoHS指令信息Material Declaration MUN5235DW1T1G
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363