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MMUN2114LT1G
ON Semiconductor

MMUN2114LT1G

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2114LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7, SOT-23
中间价(CNY):0.2027
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MMUN2114LT1G 规格参数
原厂标准交货期4 周
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
制造商零件编号MMUN2114LT1G
电阻器 - 基底(R1)10 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
产品相片SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
RoHS指令信息Material Declaration MMUN2114LT1G
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
描述TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3