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FDS8958B
ON Semiconductor

FDS8958B

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
中间价(CNY):2.73
推荐供应商
FDS8958B 规格参数
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)26 毫欧 @ 6.4A,10V
安装类型表面贴装
包装Digi-Reel®
FET 类型N 和 P 沟道
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
系列PowerTrench®
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 10V
供应商器件封装8-SOIC
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.4A,4.5A
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