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FDN352AP.
ON Semiconductor

FDN352AP.

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -1.3A, SuperSOT, 整卷
中间价(CNY):0.1299
推荐供应商
FDN352AP. 规格参数
漏源电压, Vds:-30V
针脚数:3引脚
在电阻RDS(上):0.18ohm
晶体管极性:P沟道
MSL:MSL 1 - Unlimited
电流, Id 连续:-1.3A
晶体管封装类型:SuperSOT
功耗 Pd:500mW
电压 @ Rds测量:-10V
产品范围:-
工作温度最高值:150°C
数据手册
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