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FDN306P
ON Semiconductor

FDN306P

晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -600 mV
中间价(CNY):1.1503
推荐供应商
FDN306P 规格参数
原厂标准交货期8 周
制造商零件编号FDN306P
产品相片SOT-23-3
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
PCN 封装Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 Mult Devices 24/Oct/2017
RoHS指令信息Material Declaration FDN306P
描述MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
FET 类型P 通道
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
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