原厂标准交货期 | 13 周 |
制造商零件编号 | FDMS86101DC |
产品相片 | 8-Power TDFN
8-PowerTDFN, Power56
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湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
PCN 封装 | Mult Devices 24/Oct/2017
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RoHS指令信息 | Material Declaration FDMS86101DC
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描述 | MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN |
FET 类型 | N 通道 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
得捷电子 零件编号 | FDMS86101DCTR-ND |
供应商器件封装 | Dual Cool™56 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 14.5A(Ta),60A(Tc) |
制造商 | ON Semiconductor |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3135pF @ 50V |
PCN 组件/产地 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
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零件状态 | 有源 |
现有数量 | 得捷电子库存现货: 18,000
可立即发货
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包装 | 标准卷带 |
类别 | 分立半导体产品 |
安装类型 | 表面贴装型 |
详细描述 | 表面贴装型-N-通道-100V-14.5A(Ta)-60A(Tc)-3.2W(Ta)-125W(Tc)-Dual-Cool™56 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
PCN 设计/规格 | Logo 17/Aug/2017
Mult Dev Material/Assembly Chg 20/Mar/2018
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特色产品 | Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Solutions for Energy Infrastructure
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7.5 毫欧 @ 14.5A,10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
数据列表 | FDMS86101DC;
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系列 | Dual Cool™,PowerTrench® |
标准包装 | 3,000 |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta),125W(Tc) |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |