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FDG6301N-F085P
ON Semiconductor

FDG6301N-F085P

N-Channel MOSFET
中间价(CNY):-
推荐供应商
FDG6301N-F085P 规格参数
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)4 欧姆 @ 220mA,4.5V
安装类型表面贴装
FET 类型2 个 N 沟道(双)
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
系列汽车级,AEC-Q101
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.4nC @ 4.5V
供应商器件封装SC-70-6
漏源电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)220mA(Ta)
FET 功能逻辑电平门
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