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FDC6303N.
ON Semiconductor

FDC6303N.

场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 680mA, SuperSOT, 整卷
中间价(CNY):-
推荐供应商
FDC6303N. 规格参数
漏源电压, Vds:25V
针脚数:6引脚
在电阻RDS(上):0.45ohm
晶体管极性:Dual N Channel
MSL:MSL 1 - Unlimited
电流, Id 连续:680mA
晶体管封装类型:SuperSOT
功耗 Pd:900mW
电压 @ Rds测量:4.5V
产品范围:-
工作温度最高值:150°C
数据手册
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