ECH8102-TL-H

ON Semiconductor

ECH8102-TL-H

Trans GP BJT PNP 30V 12A 8-Pin ECH T/R

中间价(CNY):15.8765

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ECH8102-TL-H 规格参数

子类别:	Transistors
封装 / 箱体:	ECH-8
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
单位重量:	19.080 mg
USHTS:	8541290075
晶体管极性:	PNP
发射极 - 基极电压 VEBO:	- 6 V
工厂包装数量:	3000
技术:	Si
商标:	ON Semiconductor
JPHTS:	8541290100
集电极—基极电压 VCBO:	- 30 V
制造商:	ON Semiconductor
KRHTS:	8541299000
集电极—发射极最大电压 VCEO:	- 30 V
Pd-功率耗散:	1.6 W
系列:	ECH8102
集电极连续电流:	- 12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:	200
MXHTS:	85412101
集电极—射极饱和电压:	- 80 mV
配置:	Single
TARIC:	8541210000
安装风格:	SMD/SMT
最大工作温度:	+ 150 C
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
增益带宽产品fT:	140 MHz
ECCN:	EAR99
CAHTS:	8541290000
最大直流电集电极电流:	- 24 A
封装:	Reel
CNHTS:	8541210000

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