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2SA1370E
ON Semiconductor

2SA1370E

Trans GP BJT PNP 200V 0.1A 1000mW 3-Pin Case MP
中间价(CNY):-
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2SA1370E 规格参数
ConfigurationSingle
PCB changed3
Number of Elements per Chip1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)200
ECCN (US)EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1@2mA@20mA
AutomotiveNo
Maximum Operating Temperature (°C)150
Supplier PackageCase MP
Package Height8.5
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