首页/2N7002ET1G.搜索结果/2N7002ET1G.规格参数/
2N7002ET1G.
ON Semiconductor

2N7002ET1G.

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 310mA SOT-23
中间价(CNY):0.2587
推荐供应商
2N7002ET1G. 规格参数
重量(千克):.000032
晶体管极性N沟道
针脚数3引脚
产品范围-
汽车质量标准-
电压 @ Rds测量10V
漏源电压, Vds60V
MSLMSL 1 - Unlimited
原产地:China 进行最后一道重要生产流程所在的国家
电流, Id 连续310mA
税则号:85412100
数据手册
非常抱歉我们暂时未能收集到您需要的数据手册,请留下您的联系方式,我们将会在收集到相关资料后第一时间为您反馈,感谢您对我们平台的信赖和支持!