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2N3637UBJANSR
Microsemi

2N3637UBJANSR

Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin UB Waffle
中间价(CNY):-
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2N3637UBJANSR 规格参数
ConfigurationSingle
PCB changed3
Number of Elements per Chip1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)175
ECCN (US)EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9@5mA@50mA|0.8@1mA@10mA
AutomotiveNo
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Operating Temperature (°C)200
Supplier PackageUB
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