2N3637UBJAN 规格参数
| Configuration | Single |
| PCB changed | 3 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 175 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@5mA@50mA|0.8@1mA@10mA |
| Automotive | No |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
数据手册
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