NPT1012B

MA-COM

NPT1012B

28V, 25W, DC-4GHz GaN HEMT

中间价(CNY):1431.2121

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NPT1012B 规格参数

晶体管极性	N-Channel
技术	GaN Si
最大工作温度	+ 200 C
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
工作频率	4 GHz
Vgs th-栅源极阈值电压	- 1.8 V
增益	13 dB
商标	MACOM
Pd-功率耗散	44 W
Id-连续漏极电流	4 mA
P1dB - 压缩点	43 dBm
RoHS	是
封装	Tray
Vgs-栅源极击穿电压	3 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
配置	Single
Rds On-漏源导通电阻	440 mOhms
制造商	MACOM
安装风格	Screw
晶体管类型	HEMT

数据手册