| 制造商零件编号 | SI4410DY |
| 产品培训模块 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below
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| 产品相片 | 8-SOIC
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| PCN 过时产品/ EOL | EOL122B 02/Oct/2007
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| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | SI4410DY-ND |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Ta） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1585pF @ 15V |
| 零件状态 | 停產 |
| 现有数量 | 0
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| 包装 | 管件 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 表面贴装型-N-通道-30V-10A（Ta）-2.5W（Ta）-8-SO |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它有关文件 | Part Number Guide
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 13.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | SI4410DY;
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| 系列 | HEXFET® |
| 标准包装 | 95 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V |
