| 原厂标准交货期 | 10 周 |
| 制造商零件编号 | IRLML2803TRPBF |
| 产品培训模块 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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| 产品相片 | SOT-23-3
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| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| PCN 封装 | Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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| 设计资源 | IRLML2803TR Saber Model
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| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRLML2803PBFTR-ND |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.2A（Ta） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 85pF @ 25V |
| PCN 组件/产地 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015
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| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 33,000
可立即发货
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| 包装 | 标准卷带 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 详细描述 | 表面贴装型-N-通道-30V-1.2A（Ta）-540mW（Ta）-Micro3™-SOT-23 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它有关文件 | Part Number Guide
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| 特色产品 | Data Processing Systems
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 250 毫欧 @ 910mA，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | IRLML2803PbF;
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| 系列 | HEXFET® |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V |
| 仿真模型 | IRLML2803 Spice Model
IRLML2803TRPBF Saber Model
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