| 原厂标准交货期 | 10 周 |
| 制造商零件编号 | IRFI4110GPBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
|
| 产品相片 | TO-220AB Full Pack
|
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| PCN 封装 | Barcode Label Update 24/Feb/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB |
| FET 类型 | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 得捷电子 零件编号 | IRFI4110GPBF-ND |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 72A（Tc） |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9540pF @ 50V |
| PCN 组件/产地 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
|
| 零件状态 | 有源 |
| 现有数量 | 得捷电子库存现货: 13,209
可立即发货
|
| 包装 | 管件 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 详细描述 | 通孔-N-通道-100V-72A（Tc）-61W（Tc）-TO-220AB-整包 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| PCN 设计/规格 | POD Datasheet Rev 28/Apr/2017
POD Datasheet Update 6/Apr/2017
|
| 其它有关文件 | IR Part Numbering System
|
| 特色产品 | Data Processing Systems
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 43A，10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 数据列表 | IRFI4110GPBF;
|
| 系列 | HEXFET® |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 61W（Tc） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 290nC @ 10V |
| 仿真模型 | Infineon IRFI4110G-SM-v01_00- EN Saber File
Infineon IRFI4110G-SM-v01_00- EN Spice Model
|
